«РАДЭКО Групп» — система качества, отвечающая высочайшим международным и российским стандартам.

Блог компании ООО «Радэко Групп»

20 августа 2012 года

Ученые сделали элементы транзисторной логики и логические элементы из нелегированный кремниевых нанопроводников

Строение транзистора на основе кремниевых нанопроводов

 

Французские исследователи успешно изготовили транзисторы и два типа диодов из нелегированных кремниевых нанопроводов (undoped silicon nanowires, SiNW), объеденив их в единый элемент, реализующий логическую функцию И-НЕ. Электронные приборы нанометрового масштаба, изготовленные из кремниевых нанопроводов, в последнее время привлекают к себе все большее внимание со стороны ученых. Применение таких полупроводниковых приборов обещает существенное уменьшение размеров электронных схем, что является немаловажным фактором для электронной, оптоэлектронной и биохимической промышленности.
 
В отличие от технологии фотолитографии, которая в настоящее время является основной технологией производства электронных полупроводниковых чипов, технология с использование кремниевых нанопроводов легко позволит производить устройства на наноуровне. Что же мешает производить устройства наноуровня обычным методом? Главным препятствием является то, что электрические свойства кремния сильно зависят от концентрации и точного местоположения в них присадок. На большем уровне технологические отклонения уравниваются и произведенный полупроводник обладает некоторыми "усредненными" характеристиками. Такого усреднения очень трудно, а порой и просто невозможно, добиться в более мелком масштабе, в
масштабе нано-устройств.
 
Структура логического элемента
Поэтому, одним из альтернативных вариантов является вариант использования нелегированного кремния, крения, не содержащего примесей. Но и у этого варианта есть несколько проблем, препятствующих его дальнейшему внедрению. Самой большой проблемой является создание низкоомных контактов между металлом и кремнием. В месте соединения всегда имеет место быть эффект, который называется барьером Шоттки.
 
Французские исследователи решили эту проблему с помощью наненсения покрытия из силицида никеля частей кремниевых нанопроводов. Это покрытие, нанесенное в месте соприкосновения с металлическими проводниками, предотвращает формирование барьеров Шоттки и делает возможным формирование достаточно сложных электронных полупроводниковых устройств.
 
Источник: DailyTechInfo

 

Зарегистрируйтесь, чтобы оставлять комментарии.

Обратная связь

У Вас возникли вопросы? Вы можете получить ответы на них прямо сейчас! 

 

Skype: Написать,  Добавить контакт

 

ICQ: 647119917 

 

Phone: +7 (495) 646-13-83



Свежие записи блога





Категории блога



 




© Радэко Групп, 2011